Интересным направлением в области применения полупроводниковых при­боров в схемах зажигания ламп является создание полупроводникового балла­ста, который применяется вместо обычного индуктивного балласта.

В качестве примера можно привести устройство на рис. 14.30. Люминес­центная лампа включена в сеть с помощью накального повышающего транс­форматора Т. Первичная обмотка Т подключена к сети через симистор VS1 и конденсатор СЗ. Параллельно симистору VS1 включена цепь Rl, C1 через симметричный динистор VD1. Вторая аналогичная ячейка, состоящая из симистора VS2, динистора VD2 и цепочки R2, С2, включена параллельно накальному трансформатору Т и конденсатору СЗ.

Дроссель L небольшой индуктивнос­ти препятствует отпиранию VS2 рань­ше, чем открылся VS1. При подаче на­пряжения питания на схему VS1 заперт, ток через резистор R1 заряжает С1. Пос­ле заряда конденсатора С1 динистор VD1 пробивается, и на управляющий электрод VS1 подается управляющий импульс. VS1 открывается, и через пер­вичную обмотку Т и конденсатор СЗ начинает протекать ток, значение кото­рого ограничивает СЗ.