На рис. 14.22 приведена схема, в которой в качестве шунтирующего элемента применены полупроводниковые диоды, включенные встречно друг другу. Схема работает следующим образом:

Г‚ ïóñêîâîì ðåæèìå êàæäûé ïîëóïåðèîä òîê ïðîõîäèò òîëüêî ÷åðåç îäèí øóíòèðóþùèé äèîä ГЁ óæå ÷åðåç 0,01 ñåêóíäû ïî÷òè äîñòèãàåò óñòàíîâèâ­ГёГҐГЈГ®Г±Гї çíà÷åíèÿ (äëÿ ëàìï 40 Âò òîê ðàâåí 0,35 ГЂ ïðè íàïðÿæåíèè Г±ГҐГІГЁ 200 Г‚). Г‚ ýòîì ñëó÷àå øóíòèðîâàíèå ýëåêòðîäà ëàìïû äèîäîì ïðèâîäèò ГЄ óìåíüøåíèþ òîêà ïðåäâàðèòåëüíîãî ïîäîãðåâà, Г·ГІГ® ìîæåò âûçâàòü ëèáî çàòÿãèâàíèå ïðîöåññà çàæèãàíèÿ ëàìïû, ëèáî ГҐГҐ õîëîäíîå çàæèãàíèå.

Г‚ ðàáî÷åì ðåæèìå êàæäûé ïîëóïåðèîä îäèí äèîä îòêðûò, äðóãîé çàê­Г°Г»ГІ. Îòêðûòûì áóäåò òîò äèîä, êîòîðûé øóíòèðóåò ýëåêòðîä, ðàáîòàþ­Г№ГЁГ© Гў êàòîäíîì ðåæèìå. Ïðè îòêðûòîì äèîäå ðàáî÷èé òîê ëàìïû ïðîõîäèò ГЇГ® îáîèì âûâîäàì ýëåêòðîäà. ГЏГ® ìåðå ïåðåìåùåíèÿ êàòîäíîãî ГЇГїГІГ­Г  ГЇГ® ГўГЁГІГЄГ Г¬ ýëåêòðîäà òîê Гў îäíîì ïðîâîäå óìåíüøàåòñÿ, Гў äðóãîì ГіГўГҐ­Г«ГЁГ·ГЁГўГ ГҐГІГ±Гї, îñòàâàÿñü Гў ñðåäíåì çà ïåðèîä ìåíüøå íîìèíàëüíîãî òîêà Гў êàæäîé Г·Г Г±ГІГЁ ýëåêòðîäà.

Ýêñïåðèìåíòàëüíî äîêàçàíî, Г·ГІГ® Гў ýòîé ñõåìå òåìïåðàòóðà êàòîäíîãî ГЇГїГІ­Г­Г  óìåíüøàåòñÿ, Г  ГҐГЈГ® ïëîùàäü óâåëè­Г·ГЁГўГ ГҐГІГ±Гї. Ïðè ýòîì ñðîê ñëóæáû ëàìï íåñêîëüêî óâåëè÷èâàåòñÿ, óìåíüøàþò­Г±Гї ïîòåðè ìîùíîñòè Гў ëàìïå ГЁ Г­Г  4...5% ïîâûøàåòñÿ ГЁГµ ñâåòîâàÿ îòäà÷à.

ГђГЁГ±.   14.22. Óñòðîéñòâî Г± øóíòèðîâàíèåì ïîëóïðîâîäíèêîâûìè äèîäàìè